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AD-IBSD1010型(4英寸) PRODUCTS

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AD-IBSD1010型(4英寸)

AD-IBSD1010型(4英寸)
AD-IBSD1010型(4英寸) 

离子源口径:

主源—聚焦束溅射离子源:Ф100mm

辅源—准直束离子源:Ф100mm

1. 主源技术参数

离子能量可调范围:Ei = 0~1000 eV;

束流可调范围:Jb = 0~90 mA;

典型材料(Cu)薄膜沉积速率:DR≥ 15 nm/min;

薄膜厚度均匀度:100mm直径范围内≤±5%。

2. 辅源技术参数

能量可调范围:Ei = 0~1000 eV;

Advanced提供辅源发射100eV~500eV不同能量条件的衬底台面的束流与束流密度相关数据曲线,用于计算辅助轰击离子到达速率Ri,并根据薄膜沉积速率DR计算沉积原子到达速率RD,研究R=Ri/RD参数对薄膜微结构及性质的影响。

辅助离子束轰击直径:Ф≥100mm;

标准轰击角角:θb≈60°。

3. 衬底台

台面直径:Ф100mm(可装4寸片);

自转速率:15RPM;

扫描速率:1mm/s;

两侧扫描距离:0~50mm;

台面温度:5℃~25℃(采用隔热方法和施加辅助离子轰击可提高薄膜沉积温度>200℃)

标准沉积角:θd=15°

薄膜厚度及生长速率监测参数啊:TDN-200仪的薄膜厚度和生长速率量程分别为0~99μm和0~9999Å/s,显示分辨率为0.1nm和0.1nm/s。

4. 水冷靶台

装靶数:4靶(靶尺寸Ф100mm×δ3~5mm);

离子束溅射靶温<100℃(冷却靶水温0℃~25℃可调);

换靶方式:随机外部手动换靶;

标准溅射角θs=45°±15°。

5. 真空室及真空系统

真空室选用304不锈钢氩弧焊接,并作钝化处理,腔室内壁配有不锈钢衬板来保护镀膜过程中的污染,易于拆装方便清洗。

镀膜台和靶台可随门板转出真空室,装配温度为15℃水冷主离子源室、辅离子源室,配装电控衬底台挡板,顶部留有大口径盲板以备用户使用,长时间工作的真空室壁温度≤20℃。

前级真空泵参数:VD401双级机械泵,装配TM401油雾分离器,额定N气抽速≥11L/S;

主泵参数:FB1200TMP分子泵,额定N气抽速≥1200L/S;

系统真空度:在室温25℃条件下,系统极限真空PLim≤8.5×10-5Pa(不加热烘和冷阱);溅射沉积薄膜前本底真空Pb≤5×10-4Pa;从大气抽至5×10-4Pa周期为T≤45min;

单离子源工作标准Ar气压强范围:POP=1.2×10-2Pa~2.0×10-2Pa;

双离子源同时工作标准Ar气压强范围:POP=2.4×10-2Pa~3.0×10-2Pa;

真空测量:系统配置ZDF-1-LED型复合真空仪、ZJ-53热偶规和ZJ-27抗氧化电离传感器;

真空量范围:大气压~8.5×10-6Pa;

6.气路及气源

系统标准配置2条气路,S49 32/MF流量控制器(MFC)的量程:0~20 sccm;配3路配置(3路气体,Ar、N2、O2)

7离子源电源及全自动控制系统

离子源电源及控制系统为独特的六电源分系统先进设计方案,与离子源和离子源负载外特性具有优良匹配,确保离子源高效率、稳定、常寿命和可靠运行,在标准工作条件(Ei = 500 eV,Jb = 1 mA/cm2)下的总功耗<350W,低于国际同口径离子源功耗的1/3,其离子能量和束流稳定度RMS值<±1%每小时,电源总体可靠性设计达到≥97%和MTBF≥2年。
(此内容由www.advancednems.com提供)

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