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离子刻蚀SEM放大效果图

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离子束刻蚀(IBE)是把氩、氪、氙之类的惰性气体充入离子源放电室,并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面,撞击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,纯属物理过程。

离子束刻蚀是在半导体工艺,按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术,还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。

一、离子束刻蚀的特点:

(1)材料使用范围广,不受刻蚀材料的限制(金属和化合物,无机物和有机物,绝缘体和半导体均可)

(2)刻蚀过程中可改变离子束入射角来控制图形轮廓。

(3)刻蚀精度高。离子束加工是目前细微的加工工艺。离子束轰击工件的材料时,其束流密度和能量可控制,可达纳米级精度。

(4)环境污染少。该方法特别适合对易氧化的金属、合金和半导体材料进行加工。

(5)加工质量高。离子束加工是靠离子轰击材料表面的原子来实现的,加工应力和变形极小,适合加工各种材料。

二、离子束刻蚀的应用:

(1)适应于超微结构的精密加工;

(2)离子束刻蚀对材料无选择性,特别适合对一些化学研磨,电解研磨难以减薄的材料进行减薄;

(3)由于离子束逐层剥离原子层,所以具有微分分析样品的能力。
(此内容由www.advancednems.com提供)
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